V
0
Vyber si materiál dielektrickej vrstvy
-
SiO2 (Vth = +/-12.6V)
-
SiO2+PMMA (Vth = +/-3.7V)
-
SiO2+HDMS (Vth = +/-5.4V)
-
SiO2+OTS (Vth = +/-3.3V)
Vyber si materiál pre drain a source
-
Zlato
-
Meď
-
Striebro
Vážení používatelia, pred Vami môžete vidieť plne funkčný interaktívny výučbový model organického poľom riadeného tranzistora (OFET), ktorý sa ovláda nasledovne:
V ľavej časti obrazovky sa nachádza základná štruktúra OFET prvku, v ktorej budú neskôr aj vizualizované prebiehajúce fyzikálne procesy. Kliknutím na jednotlivé časti prvku sa (v pravom hornom rohu) zobrazí vyskakovacie okno s informáciami o danej vrstve.
Kliknutím na blikajúce časti je možné zmeniť materiál danej vrstvy - zobrazí sa zoznam dostupných materiálov (štandardne je vždy zvolená prvá možnosť). Materiál dielektrickej vrstvy je možné meniť len pri počiatočnom zobrazení (t.j. bez pripojených zdrojov napätia). Materiál Source a Drain elektród je možné meniť aj počas činnosti tranzistora.
Pod štruktúrou prvku sa nachádzajú 4 tlačidlá (zľava doprava):
Pre simulovanie činnosti tranzistora je potrebné pripojiť zdroje napätia a meniť ich hodnoty. Po pripojení zdrojov Vgs/Vds sa ku každému zobrazí korešpondujúce posuvné tlačidlo a pole, zobrazujúce aktuálne nastavenú hodnotu. Tú je možné meniť tromi spôsobmi: posúvaním tohto tlačidla, zvyšovaním/znižovaním za pomoci šípok, alebo manuálnym zadaním požadovaného napätia do poľa.
Po zobrazení sa grafické okno bude nachádzať na pravej strane obrazovky. Elektrické správanie OFET prvku (na základe toho fyzikálneho) je popísané prevodovou a výstupnou charakteristikou, medzi ktorými možno prepínať (opakovaným) klikaním na tlačidlo. Kliknutím a potiahnutím kurzora je možné žiadanú oblasť grafu (aj viacnásobne) priblížiť.
Kliknutím na blikajúce časti je možné zmeniť materiál danej vrstvy - zobrazí sa zoznam dostupných materiálov (štandardne je vždy zvolená prvá možnosť). Materiál dielektrickej vrstvy je možné meniť len pri počiatočnom zobrazení (t.j. bez pripojených zdrojov napätia). Materiál Source a Drain elektród je možné meniť aj počas činnosti tranzistora.
Pod štruktúrou prvku sa nachádzajú 4 tlačidlá (zľava doprava):
- Zmena typu vodivosti organického polovodiča (P-typ / N-typ)
- Pripojenie / odpojenie zdroja riadiaceho napätia Gate-Source (Vgs)
- Pripojenie / odpojenie zdroja aplikovaného napätia Drain-Source (Vds)
- Zobrazenie / zmena režimu / skrytie grafu (charakteristík tranzistora).
Pre simulovanie činnosti tranzistora je potrebné pripojiť zdroje napätia a meniť ich hodnoty. Po pripojení zdrojov Vgs/Vds sa ku každému zobrazí korešpondujúce posuvné tlačidlo a pole, zobrazujúce aktuálne nastavenú hodnotu. Tú je možné meniť tromi spôsobmi: posúvaním tohto tlačidla, zvyšovaním/znižovaním za pomoci šípok, alebo manuálnym zadaním požadovaného napätia do poľa.
Po zobrazení sa grafické okno bude nachádzať na pravej strane obrazovky. Elektrické správanie OFET prvku (na základe toho fyzikálneho) je popísané prevodovou a výstupnou charakteristikou, medzi ktorými možno prepínať (opakovaným) klikaním na tlačidlo. Kliknutím a potiahnutím kurzora je možné žiadanú oblasť grafu (aj viacnásobne) priblížiť.